规格书 |
|
Rohs |
Lead free / RoHS Compliant |
标准包装 |
1,000 |
晶体管类型 |
PNP |
- 集电极电流(Ic)(最大) |
1A |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) |
80V |
Vce饱和(最大)@ IB,IC |
500mV @ 10mA, 250mA |
电流 - 集电极截止(最大) |
- |
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE |
50 @ 250mA, 1V |
功率 - 最大 |
1W |
频率转换 |
- |
安装类型
|
Through Hole |
包/盒
|
TO-226-3, TO-92-3 Long Body |
供应商器件封装 |
TO-226 |
包装材料
|
Bulk |
包装 |
3TO-226 |
类型 |
PNP |
引脚数 |
3 |
最大集电极发射极电压 |
80 V |
集电极最大直流电流 |
1 A |
最小直流电流增益 |
80@50mA@1V|50@250mA@1V|20@500mA@1V |
最大集电极发射极饱和电压 |
0.5@10mA@250mA|0.35@25mA@250mA V |
工作温度 |
-55 to 150 °C |
最大功率耗散 |
1000 mW |
安装 |
Through Hole |
标准包装 |
Bulk |
集电极最大直流电流 |
1 |
欧盟RoHS指令 |
Compliant |
最高工作温度 |
150 |
最低工作温度 |
-55 |
最大功率耗散 |
1000 |
最大基地发射极电压 |
5 |
封装 |
Bulk |
每个芯片的元件数 |
1 |
最大集电极基极电压 |
80 |
供应商封装形式 |
TO-226 |
最大集电极发射极电压 |
80 |
电流 - 集电极( Ic)(最大) |
1A |
晶体管类型 |
PNP |
安装类型 |
Through Hole |
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 |
500mV @ 10mA, 250mA |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) |
80V |
供应商设备封装 |
TO-226 |
功率 - 最大 |
1W |
封装/外壳 |
TO-226-3, TO-92-3 Long Body |
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 |
50 @ 250mA, 1V |
RoHS指令 |
Lead free / RoHS Compliant |